Наукова періодика України - НБУВ Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського

Простий
пошук

Розширений
пошук

Покажчики

Професійний
пошук

Рубрикатор
НБУВ

Розподілений
пошук

Бази даних

Наукова періодика України - результати пошуку

Книжкові видання та компакт-диски

Журнали та продовжувані видання

Автореферати дисертацій

Реферативна база даних

Наукова періодика України

Тематичний навігатор

Авторитетний файл імен осіб

	Для швидкої роботи та реалізації всіх функціональних можливостей пошукової системи використовуйте браузер "Mozilla Firefox"

Вид пошуку

Повнотекстовий пошук

Знайдено в інших БД:

Книжкові видання та компакт-диски (1)

Реферативна база даних (8)

Список видань за алфавітом назв:

A B C D E F G H I J L M N O P R S T U V W

А Б В Г Ґ Д Е Є Ж З И І К Л М Н О П Р С Т У Ф Х Ц Ч Ш Щ Э Ю Я

Авторський покажчик Покажчик назв публікацій

Пошуковий запит: (<.>A=Марьянчук П$<.>)
Загальна кількість знайдених документів : 7 Представлено документи з 1 до 7
1.	Мостовой А. И. Электрические свойства анизотипных гетеропереходов n-ТiО2:Mn/p-CdTe [Електронний ресурс] / А. И. Мостовой, В. В. Брус, П. Д. Марьянчук, К. С. Ульяницкий // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. - 2013. - № 1. - С. 45-48. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/TKEA_2013_1_9 Исследованы электрические свойства анизотипных гетеропереходов n-ТiО₂:Mn/p-CdTe, изготовленных методом электронно-лучевого испарения в вакууме пленки ТiО₂:Mn на монокристаллические подложки CdTe. Установлены доминирующие механизмы токопереноса при прямых и обратных смещениях гетероперехода.Досліджено електричні властивості анізотіпних гетеропереходів n-ТiО₂:Mn/p-CdTe, виготовлених методом електронно-променевого випаровування у вакуумі плівки ТiО₂:Mn на монокристалічні підкладки CdTe. Встановлено домінуючі механізми токоперенесення за прямих і зворотних зміщень гетеропереходу.The authors have investigated electronic properties of n-TiO₂:Mn/p-CdTe anisotype heterojunctions, produced by the method of electron-beam evaporation of TiO₂:Mn film on single-crystal CdTe substrates in vacuum. The dominant mechanism of charge transport in the forward and reverse bias has been established. Попередній перегляд: Завантажити - 180.865 Kb Зміст випуску Реферативна БД Цитування
2.	Ковалюк Т. Т. Магнитные и кинетические свойства кристаллов Hg1–x–yCdxDyySe [Електронний ресурс] / Т. Т. Ковалюк, Э. В. Майструк, П. Д. Марьянчук // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. - 2014. - № 1. - С. 47-51. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/TKEA_2014_1_8 Проведены исследования магнитных и кинетических свойств кристаллов Hg_1-x-yCd_xDy_ySe, которые показали их высокую чувствительность к малейшим изменениям содержания магнитных ионов. На основе экспериментально полученных температурных зависимостей электропроводности и термоэдс проведена оценка коэффициента термоэлектрической добротности образцов. Установлено, что особенности их магнитной восприимчивости обусловлены наличием кластеров разных размеров, а коэффициент Холла не зависит от температуры, что указывает на вырождение электронного газа. Термоэдс для исследуемых образцов принимает отрицательные значения и возрастает по абсолютной величине при повышении температуры, что связано с уменьшением степени вырождения электронного газа.Проведено дослідження магнітних і кінетичних властивостей кристалів Hg_1-x-yCd_xDy_ySe, які показали їх високу чутливість до найменших коливань вмісту магнітних іонів. На основі експериментально отриманих температурних залежностей електропровідності і термоелектрорушійної сили наведено оцінку коефіцієнта термоелектричної добротності зразків. Встановлено, що особливості їх магнітної сприйнятливості обумовлені наявністю кластерів різних розмірів, а коефіцієнт Холла не залежить від температури, що вказує на виродження електронного газу. Термоелектрорушійна сила для досліджуваних зразків приймає негативні значення і зростає за абсолютною величиною у разі підвищення температури, що пов'язано зі зменшенням ступеня виродження електронного газу.This paper presents research results on the magnetic and kinetic properties of Hg_1-x-yCd_xDy_ySe crystals. The coefficient of thermoelectric figure of merit of Hg_1-x-yCd_xDy_ySe crystals is determined on the basis of the temperature dependence of electrical conductivity and thermoelectric power. The temperature dependence of the magnetic susceptibility has the form typical for paramagnets and decreases with the temperature increase. The growth of with the decrease of T results from the decrease in the disorienting effect of thermal vibrations of the atoms in crystal lattice on orientation of the magnetic moments of Dy in magnetic field. The authors have established that the characteristics of the magnetic susceptibility result from the presence of clusters with different sizes. The characteristic properties of the changes in kinetic coefficients with temperature variation for Hg_1-x-yCd_xDy_ySe samples suggests that vacancies in the Se sublattice and interstitial mercury mainly affect the transport phenomena in these crystals. It is known that mercury chalcogenides and solid solutions based on mercury interstitials and vacancies in the chalcogen sublattice are donors. The temperature dependence of the electrical conductivity for Hg_1-x-yCd_xDy_ySe are metallic in character, that is s decreases with increasing temperature due to decreasing mobility of electrons, the Hall coefficient of the crystals Hg_1-x-yCd_xDy_ySe does not depend on temperature, which is associated with the degeneracy of the electron gas. Thermoelectric power for Hg_1-x-yCd_xDy_ySe samples is negative and its absolute value increases with the temperature increase due to reduction in the degree of degeneracy of the electron gas. Research results indicate prospects of the application of Hg_1-x-yCd_xDy_ySe crystals in spintronics devices. Попередній перегляд: Завантажити - 376.931 Kb Зміст випуску Реферативна БД Цитування
3.	Марьянчук П. Д. Физические свойства и зонная структура кристаллов (3HgTe)1–x(Al2Te3)x, легированных марганцем [Електронний ресурс] / П. Д. Марьянчук, Л. Н. Дымко, Т. Р. Романишин, Т. Т. Ковалюк, В. В. Брус, М. Н. Солован, А. И. Мостовой // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. - 2014. - № 2-3. - С. 54-60. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/TKEA_2014_2-3_11 В результате исследования магнитных, кинетических и оптических свойств кристаллов (3HgTe)_1–x(Al₂Te₃)_x: (x = 0,5) установлено, что в них имеют место прямые межзонные оптические переходы. Температурная зависимость электропроводности образцов имеет полупроводниковый характер, а температурная зависимость коэффициента Холла свидетельствует о смешанном типе проводимости. Особенности магнитных свойств обусловлены наличием в кристаллах кластеров типа Mn-Тe-Mn-Тe, в которых между атомами Mn через атомы халькогена осуществляется косвенное обменное взаимодействие антиферромагнитного характера. На основе проведенных исследований определены зонные параметры и построена схема зонной структуры кристаллов с концентрацией атомов марганца около 1020 см^-3.В результаті досліджень магнітних, кінетичних і оптичних властивостей кристалів (3HgTe)_1–x(Al₂Te₃)_x: (x = 0,5) встановлено, що в них мають місце прямі міжзонні оптичні переходи. Температурна залежність електропровідності зразків має напівпровідниковий характер, а температурна залежність коефіцієнта Холла свідчить про змішаний тип провідності. Особливості магнітних властивостей обумовлені наявністю в кристалах кластерів типу Mn-Тe-Mn-Тe, в яких між атомами Mn через атоми халькогена здійснюється опосередкована обмінна взаємодія антиферомагнітного характеру. Визначено зонні параметри і побудовано схему зонної структури для кристалів з концентрацією атомів марганцю приблизно 1020 см^-3.This paper presents the results of the analysis of magnetic, optical, kinetic properties and band parameters of (3HgTe)1–x(Al2Te3)x crystals doped by manganese. The behavior of the magnetic susceptibility of the (3HgTe)1–x(Al2Te3)x: crystals can be explained by the presence of Mn-Oe-Mn-Oe clusters or, more precisely, by their transition from a magnetically ordered to a paramagnetic state at Curie temperature ON. The temperature dependences of electrical conductivity are typical for semiconductor materials. This is due to the increase in carrier concentration with the increase of temperature. The temperature dependence of the Hall coefficient indicates that electrons and holes participate in the transport phenomena in the studied samples (the conductivity is mixed). In (3HgTe)1–x(Al2Te3)x: crystals, the electron mobility decreases with increasing temperature, indicating the predominance of the scattering of the charge carriers on thermal vibrations of the crystal lattice. Thermoelectric power for the samples under investigation possesses negative values and increases in absolute value with the rise of temperature. The optical band gap of the samples was defined from the optical studies. We have measured current-voltage characteristics of n-O?I2/(3HgTe)1–x(Al2Te3)x: and n-TiN/(3HgTe)1–x(Al2Te3)x: heterojunctions at room temperature. The band gap, the matrix element of the interband interaction and the electron effective mass at the bottom of the conduction band were determined from the concentration dependence of the electrons effective mass at the Fermi level. Попередній перегляд: Завантажити - 463.079 Kb Зміст випуску Реферативна БД Цитування
4.	Пархоменко Г. П. Электрические и фотоэлектрические свойства гетероструктур NiO/p-CdTe и NiO/n-CdTe [Електронний ресурс] / Г. П. Пархоменко, П. Д. Марьянчук // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. - 2016. - № 4-5. - С. 29-33. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/TKEA_2016_4-5_6 Изготовлены гетероструктуры NiO/n-CdTe и NiO/p-CdTe методом реактивного магнетронного напыления тонких пленок оксида никеля на подложки из кристаллов CdTe p- и n-типа проводимости, исследованы их темновая и световая вольтамперные характеристики. Установлено, что основными механизмами токопереноса при прямом смещении является генерационно-рекомбинационный и туннелирование, при обратных смещениях — туннелирование.Методом реактивного магнетронного напилення тонких плівок NiO на підкладки з кристалів CdTe p- та n-типу провідності виготовлено гетероструктури NiO/n-CdTe та NiO/p-CdTe. Досліджено їх темнову і світлову вольтамперні характеристики. Встановлено, що основними механізмами струмопереносу за прямого зміщення є генераційно-рекомбінаційний і тунелювання, за зворотнього — тунелювання.In this study, we investigate the electrical and photoelectric properties of heterostructures formed by the reactive magnetron sputtering of thin film NiO onto p-CdTe and n-CdTe substrates. The current-voltage characteristics of the heterojunctions were measured at room temperature. The dominating current transport mechanisms through the NiO/n-CdTe and NiO/p-CdTe heterojunctions at the forward biases are generation-recombination and tunnel, at the reverse biases is tunnel current transport mechanisms. The heterojunctions under investigation generate open-circuit voltage Uoc = 0.26 V and short-circuit current Isc = 58.7 µÀ/cm2 under illumination 80 mW/cm–2. The research results can be used for better understanding of the processes occurring in heterojunctions NiO/n-CdTe and NiO/p-CdTe, to further improve their properties and parameters. Попередній перегляд: Завантажити - 330.169 Kb Зміст випуску Реферативна БД Цитування
5.	Марьянчук П. Д. Коефіцієнт термоелектричної добротності кристалів Hg1-xMnxS, Hg1-x-уMnxFeyS и Hg1-xMnxTe1-zSz [Електронний ресурс] / П. Д. Марьянчук, Г. О. Андрущак, Е. В. Майструк // Термоелектрика. - 2012. - № 1. - С. 29-33. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/TE_2012_1_6 Наведено результати досліджень температурних залежностей електропровідності та термоерс. Оцінено величину коефіцієнта термоелектричної добротності Z кристалів Hg1-xMnxS, Hg1-x-yMnxFeyS і Hg1-xMnxTe1-zSz до та після термообробки зразків у парах компонентів. На підставі одержаних значень Z можна зробити висновки про можливість використання зазначених матеріалів у термоелектричних пристроях. Попередній перегляд: Завантажити - 290.357 Kb Зміст випуску Реферативна БД Цитування
6.	Марьянчук П. Д. Коэффициент термоэлектрической добротности кристаллов Hg1-xMnxS, Hg1-x-уMnxFeyS и Hg1-xMnxTe1-zSz [Електронний ресурс] / П. Д. Марьянчук, Г. О. Андрущак, Э. В. Майструк // Термоэлектричество. - 2012. - № 1. - С. 30-34. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/ter_2012_1_6 Попередній перегляд: Завантажити - 287.611 Kb Зміст випуску Цитування
7.	Ковалюк Т. Т. Исследование кристаллов Cu2ZnSnSe4 и гетеропереходов на их основе [Електронний ресурс] / Т. Т. Ковалюк, Э. В. Майструк, М. Н. Солован, И. П. Козярский, П. Д. Марьянчук // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. - 2018. - № 5-6. - С. 37-43. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/TKEA_2018_5-6_8 Попередній перегляд: Завантажити - 1.021 Mb Зміст випуску Цитування

Відділ наукової організації електронних інформаційних ресурсів

Пам`ятка користувача

Пам`ятка користувача

Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського